[发明专利]带有镇流电阻结构的三极碳纳米管场致发射平面显示器及其制作工艺无效

专利信息
申请号: 200410060337.8 申请日: 2004-12-16
公开(公告)号: CN1622272A 公开(公告)日: 2005-06-01
发明(设计)人: 李玉魁;高宝宁;曾凡光;刘兴辉 申请(专利权)人: 中原工学院
主分类号: H01J31/12 分类号: H01J31/12;H01J29/00;H01J9/00
代理公司: 郑州科维专利代理有限公司 代理人: 刘卫东
地址: 450007*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明涉及到一种碳纳米管阴极的场致发射显示器的器件制作,特别涉及到带有镇流电阻结构的场致发射平板显示器及其制作工艺,包括阴极面板、阳极面板以及玻璃围框所构成的密封真空腔;阳极面板上有铟锡氧化物薄膜导电层和荧光粉层;控制栅极;在阴极面板上制备有碳纳米管阴极导电层、镇流电阻层以及碳纳米管阴极,该镇流电阻结构为每一个像素点下对应的碳纳米管阴极都制备了一个镇流电阻,用于调整碳纳米管场致发射电子的能力,提高了整体碳纳米管阴极发射电子的均匀性和稳定性,解决了碳纳米管阴极材料和阴极面板之间粘结不牢固的缺点;改善了整体显示器件的图像显示质量,降低了整体器件的制作成本,具有结构简单、制作工艺简单、制作成本低廉、制作过程稳定可靠的优点。
搜索关键词: 带有 流电 结构 三极 纳米 管场致 发射 平面 显示器 及其 制作 工艺
【主权项】:
1、一种带有镇流电阻结构的碳纳米管阴极三极场致发射平面显示器,包括有阴极面板、阳极面板以及玻璃围框所构成的密封真空腔,阳极面板上有铟锡氧化物薄膜导电层[7]和荧光粉层[9],控制栅极[11],在阴极面板上制备有碳纳米管阴极导电层[2],镇流电阻层[4]以及碳纳米管阴极[5],其特征在于:在每一个像素点下对应的碳纳米管阴极都设置有一个镇流电阻。
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