[发明专利]使用倒置晶片投射光学接口的浸渍光刻系统及方法无效
| 申请号: | 200410060062.8 | 申请日: | 2004-06-25 |
| 公开(公告)号: | CN1577101A | 公开(公告)日: | 2005-02-09 |
| 发明(设计)人: | 哈瑞·休厄尔 | 申请(专利权)人: | ASML控股股份有限公司 |
| 主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 秦晨 |
| 地址: | 荷兰费*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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| 摘要: | 一种液体浸渍光刻系统,其包含一曝光系统,该曝光系统系以电磁辐射曝光一基底、且还包含一聚集电磁辐射于基底上的投射光学系统。一种液体供应系统提供液体于投射光学系统与基底之间。投射光学系统被置于基底底下。 | ||
| 搜索关键词: | 使用 倒置 晶片 投射 光学 接口 浸渍 光刻 系统 方法 | ||
【主权项】:
1.一种液体浸渍光刻系统,其包含:一曝光系统,其以电磁辐射曝光一基底并包含一将电磁辐射聚集于基底上的投射光学系统;及一液体供应系统,其提供液体于投射光学系统与基底之间,其中投射光学系统被置于基底底下。
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