[发明专利]用于使得存储器阵列区域小型化的布局方法无效
申请号: | 200410059848.8 | 申请日: | 2004-06-25 |
公开(公告)号: | CN1577081A | 公开(公告)日: | 2005-02-09 |
发明(设计)人: | 渡边由布子;荒井公司;成井诚司 | 申请(专利权)人: | 尔必达存储器株式会社;株式会社日立ULSI系统;株式会社日立制作所 |
主分类号: | G03F1/08 | 分类号: | G03F1/08;H01L21/027;H01L27/04 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 钟强;谷慧敏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 在其中形成通孔的部分上形成具有相同宽度的位线和一对的两条钨布线,使得该位线和钨布线以规则间隔布置。在该钨布线之间形成用于连接到另一布线层连接的通孔。在该通孔上形成由钨制成的连接布线,从而在该通孔周围具有预先确定的裕度。在光刻处理中,形成具有足够小使得光致抗蚀剂感测不到的宽度的狭缝,从而其跨越在通孔上。 | ||
搜索关键词: | 用于 使得 存储器 阵列 区域 小型化 布局 方法 | ||
【主权项】:
1.一种布局方法,其用于在一个布线层上基本上平行地形成多条布线,该布线层在存储器阵列区域中具有至少一个用于连接到另一布线层上的布线的连接孔,该方法包括下面的步骤:以相等的间隔形成多条布线,该多条布线具有相同的宽度,并且以规则的孔距布置;以及在两个相邻布线之间形成所述至少一个连接孔。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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