[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体衬底无效
| 申请号： | 200410059242.4 | 申请日： | 2004-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN1577770A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | 米田健司 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置的制造方法。是以在不得不缩小精细化了的热预算的制造工序中，形成覆盖硅晶片防止金属污染的除气点，以及在形成的除气点确实可以捕获金属杂质为目的。作为对硅半导体衬底进行最初的热处理，即进行了作为第1热处理的650℃～750℃的温度下持续30分钟～240分钟的热处理，其后的第2热处理的900℃～1100℃的温度下持续30分钟～120分钟的热处理。还有，作使第3次热处理，在形成栅极绝缘膜之前,进行升温温度为8℃/min加热到1000℃的,在1000℃的加热温度下持续30分钟的热处理。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征为：包括：在制造工序接受了硅半导体衬底后，对上述半导体衬底进行最初的热处理，进行650℃～750℃的温度下持续30分钟～240分钟的第1热处理的第1工序；以及上述第1工序之后，进行900℃～1100℃的温度下持续30分钟～120分钟的第2热处理的第2工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
