[发明专利]磁存储单元以及使用了该单元的磁存储器件无效
| 申请号： | 200410058623.0 | 申请日： | 2004-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN1577615A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | 上杉卓己;加加美健朗 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 吴丽丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供磁存储单元以及使用了该单元的磁存储器件。磁存储单元通过使用2个磁阻效应元件构成1个磁存储单元，去除该出输出的同相噪声，而且减少信息写入时的电流磁场的损失有效地进行磁化翻转，而且，抑制磁存储单元的占有面积谋求大存储容量的同时，使构造简单，易于制造，上述磁存储单元具备2个TMR元件和对于TMR元件共同设置的1个环形磁性层，TMR元件对于双方配置在沿着叠层面的方向，对于2个TMR元件共同设置写入位线以及写入字线，环形磁性层进行沿着叠层面的方向为轴方向的配置，同时具有由上述线贯穿的构成。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 单元 以及 使用 磁存储器 | ||
【主权项】：
1.一种磁存储单元，其特征在于包括：分别用叠层体构成，对于双方都配置在沿着叠层面的方向的第1以及第2磁阻效应元件；以及为了使上述第1以及第2磁阻效应元件成为共同，设置在分别构成上述第1以及第2磁阻效应元件的上述叠层体的一方的表面一侧，对于上述第1以及第2磁阻效应元件共同设置的形成多条导线发生的电流磁场的磁路的第1磁性层，基于通过上述第1磁性层的上述电流磁场，上述第1以及第2磁阻效应元件的电阻的高低状态同时发生变化。
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