[发明专利]等离子处理装置与基板表面处理装置有效
| 申请号： | 200410057976.9 | 申请日： | 2004-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN1638598A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | 村山浩二;藤本浩树 | 申请（专利权）人： | 奇美电子股份有限公司;京都陶瓷株式会社 |
| 主分类号： | H05H1/00 | 分类号： | H05H1/00;H05B33/10;H01L21/306;H01L21/30 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜日新 |
| 地址： | 台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 在以有机膜覆盖形成了导电膜的基板而将此有机膜的一部分开设为窗口露出导电膜的一部分作为电极的中间结构体时，当对此电极以氧等离子体清洗时有过损伤有机膜覆盖层的问题。为此提出了这样的等离子处理装置，它包括：激励供给的气体使发生等离子气体的等离子体气体发生室(34)；与室(34)连通，收容由等离子体处理的部件(52)的减压室(50)；设于上述两种室的连通部处相对于室(34)内的气体流道沿倾斜方向导引等离子体使之扩散并导入到减压室(58)内的扩散器(58)。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 处理 装置 表面 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理装置，此装置包括：激励供给的气体使发生等离子体的等离子体发生室；与等离子体发生室连通。收容由等离子体处理的部件的减压室；配置于连通等离子体发生室与减压室的连通部处，相对于等离子体发生室内的气体流通将等离子体沿倾斜方向导引，使等离子体扩散并导入到减压室内的扩散器。
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