[发明专利]半导体激光器及其生产方法无效
| 申请号： | 200410057538.2 | 申请日： | 2004-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN1585219A | 公开（公告）日： | 2005-02-23 |
| 发明（设计）人： | 牧田幸治;足立秀人 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/227 | 分类号： | H01S5/227 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体激光器包括：第一电导型包层，在谐振器延长方向上至少有一个脊型结构的第二电导型包层，位于两包层间的有源层和至少覆盖脊型结构一个侧面的电流阻挡层。电流阻挡层包括了氢化第一电介质膜。在这种由电介质生成电流阻挡层的结构中，光的限制效率被增强，激光器振荡阈值降低，且在高温和大功率振荡下的电流特性被改善。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体激光器，包括：第一电导型包层；第二电导型包层，其具有在谐振器方向延伸的至少有一个脊型结构；位于所述两包层间的有源层；和至少覆盖该脊型结构一个侧面的电流阻挡层，其中该电流阻挡层包括氢化第一电介质膜。
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