[发明专利]在硅衬底上低温生长高结晶质量氧化锌薄膜的方法无效
| 申请号： | 200410056958.9 | 申请日： | 2004-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN1741258A | 公开（公告）日： | 2006-03-01 |
| 发明（设计）人： | 沈文娟;曾一平;王启元;王俊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/365 | 分类号： | H01L21/365;C30B25/00;C30B25/18;C30B29/16 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种在硅衬底上低温生长高结晶质量氧化锌薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在大失配衬底硅(001)晶面上，采用金属有机物化学气相沉积法高温生长氧化铝薄膜；(2)在氧化铝薄膜上低温生长氧化锌薄膜。用此方法生长的氧化锌薄膜为高结晶质量薄膜，晶体结晶质量高且表面光滑。XRD曲线半峰宽小于0.3度。其表面粗糙度Rms小于1.2nm。RHEED图像为规则点带状。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 低温 生长 结晶 质量 氧化锌 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在硅衬底上低温生长高结晶质量氧化锌薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在大失配衬底硅(001)晶面上，采用金属有机物化学气相沉积法高温生长氧化铝薄膜；(2)在氧化铝薄膜上低温生长氧化锌薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
