[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200410055932.2 | 申请日： | 2004-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN1591857A | 公开（公告）日： | 2005-03-09 |
| 发明（设计）人： | 仲谷吾郎;田村均 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 刘建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，包括：形成于半导体基板上的第一布线层；形成于该第一布线层上的层间绝缘膜；夹持于上述第一布线层与上述层间绝缘膜之间的阻挡层；形成于上述层间绝缘膜上由金层构成的作为最上层布线层的第二布线层。上述阻挡层，跨过含有形成于上述层间绝缘膜上的层间连接用开口区域，比该层间连接用开口区域更宽的区域而形成于上述第一布线层上。上述第二布线层，在上述层间连接用开口内借助上述阻挡层电连接在上述第一布线层上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：形成于半导体基板上的第一布线层；形成于该第一布线层上的层间绝缘膜；夹持于上述第一布线层与上述层间绝缘膜之间，跨过含有形成于上述层间绝缘膜上的层间连接用开口区域，比该层间连接用开口区域更宽的区域而形成于上述第一布线层上的阻挡层；形成于上述层间绝缘膜上，在上述层间连接用开口内借助上述阻挡层电连接在上述第一布线层上，由金层构成的作为最上层布线层的第二布线层。
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