[发明专利]薄膜晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 200410055874.3 | 申请日： | 2004-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN1558292A | 公开（公告）日： | 2004-12-29 |
| 发明（设计）人： | 陈坤宏 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法，包括：形成一光致抗蚀剂层于一基底上。之后，以一单一曝光程序选择性地移除一部分的光致抗蚀剂层，以形成一光致抗蚀剂图案，而该光致抗蚀剂图案包括一具有一第一宽度的第一部分结构与一具有一第二宽度的第二部分结构，且该第二部分结构位于该第一部分结构下方。本发明提供的光致抗蚀剂图案可减少制作薄膜晶体管时所需使用的光掩模数目。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜晶体管的制造方法，包括：提供一基底，该基底至少包括依序堆栈的一硅层、一第一介电层以及一栅金属层；形成一光致抗蚀剂层于该基底上；以一单一曝光程序选择性地移除一部分的光致抗蚀剂层，以形成一第一光致抗蚀剂图案，该第一光致抗蚀剂图案包括一具有一第一宽度的第一部分结构与一具有一第二宽度的第二部分结构，该第二部分结构位于该第一部分结构下方；移除部份该栅金属层、该第一介电层与该硅层，以使上述各层具有与该第二部分结构相同的该第二宽度；选择性地缩减该第一光致抗蚀剂图案，以形成一具有该第一宽度的第二光致抗蚀剂图案；利用该第二光致抗蚀剂图案为掩模，缩减该栅金属层，以使其具有与该第二光致抗蚀剂图案相同的该第一宽度；以及掺杂一预定掺质至该硅层中，以形成一预定型式的一源极区与一漏极区，而该源极区与漏极区不位于该缩减的栅金属层的正下方区域。
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