[发明专利]选择性蚀刻掺杂碳的低介电常数材料的方法

摘要

一种在等离子体蚀刻室中选择性蚀刻基底上的低介电常数材料的等离子体蚀刻制程。此制程利用一蚀刻气体混合物进行蚀刻，此蚀刻气体混合物包括一种多氟的氟碳气体或氢氟碳气体、一种含氮气体以及一种或多种添加气体，添加气体例如是一种多氢的氢氟碳气体、一种惰性气体及/或一种碳－氧气体。以此制程蚀刻低介电常数材料层时，低介电常数材料层和光刻胶掩膜的蚀刻选择比约大于5∶1，低介电常数材料层和阻障/衬层的蚀刻选择比约大于10∶1，且低介电常数材料层的蚀刻率约大于4000埃/分钟。

主权项

1.一种选择性蚀刻低介电常数材料的等离子体蚀刻制程，其中该低介常数材料的介电常数小于4，该制程包括：将该低介电常数材料层置于一等离子体蚀刻腔室中，并于该等离子体蚀刻腔室通入一蚀刻气体混合物，该蚀刻气体混合物包括一多氟的氟碳气体或氢氟碳气体、一含氮气体以及一多氢的氢氟碳气体；以及在该等离子体蚀刻腔室中维持该蚀刻气体混合物的一等离子体，以蚀刻该低介电常数材料层。