[发明专利]磁存储器装置无效
| 申请号： | 200410055500.1 | 申请日： | 2004-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN1607606A | 公开（公告）日： | 2005-04-20 |
| 发明（设计）人： | T·C·安东尼;F·A·佩尔纳;H·李 | 申请（专利权）人： | 惠普开发有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L27/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;张志醒 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种磁存储器装置(100，200，300)，它包括磁存储器单元(102，202，302)，所述单元包括一种加磁场时能在两种电阻状态之间转换的磁性材料。所述装置还包括连接到磁存储器单元(102，202，302)的导线，该导线具有彼此电连接的导电搭接件(114，214，311)和导电的字或位线(116，118，216，310，312)。导电搭接件(114，214，311)设置在字或位线(116，118，216，310，312)和磁存储器单元(102，202，302)之间，其热阻大于字或位线(116，118，216，310，312)的热阻，为从磁存储器单元(102，202，302)到字或位线(116，118，216，310，312)的热传导提供了屏障。 | ||
| 搜索关键词： | 磁存储器 装置 | ||
【主权项】：
1.一种磁随机存取存储器装置(100，200，300)，它包括：磁存储器单元(102，202，302)阵列，每个所述单元具有能转换状态的磁数据层(108，208，308)，其中，所述转换在较高的局部温度下时更易实现；位线和字线网格(116，118，218，310，312)，所述位线和字线连接到所述阵列并提供数据存取，其中，对所述阵列中的每个磁存储器单元(102，202，302)来说，存在一条通到所述网格的导热和导电通路；以及多个热阻搭接件(114，214，311)，它们将所述阵列中的每一个磁存储器单元(102，202，302)电连接到所述网格(116，118，218，310，312)中相应的点，并且所述热阻搭接件增加了对每个所述磁存储器单元(102，202，302)所产生的热的热阻；其中，在工作期间，可使有源磁存储器单元(102，202，302)发热到较之其它情况下更高的温度，因为相应的热阻搭接件干扰了所述有源磁存储器单元向相应的字线和位线(116，118，218，310，312)的散热，因此以较少的外加能量就可转换磁性状态。
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