[发明专利]曝光方法和使用这种方法的半导体器件制造方法无效
| 申请号： | 200410055265.8 | 申请日： | 2004-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN1570771A | 公开（公告）日： | 2005-01-26 |
| 发明（设计）人： | 铃木启之;大川秀树;户野谷纯一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种曝光方法，实现了不会损伤光掩模和抗蚀剂层并对光源的波长没有限制的微细曝光。在使上层抗蚀剂13和具有铬膜22的光掩模20靠近来对上述上层抗蚀剂13进行曝光的曝光方法中，具有尺寸小于来自光源振荡的光的波长的开口部23的上述铬膜22通过纯水膜15与上述上层抗蚀剂13靠近，利用近场光K在与上述开口部23相对应的位置上对上述上层抗蚀剂13进行曝光。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 方法 使用 这种方法 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
1、一种曝光方法，使感光性抗蚀剂层和具有遮光膜的光掩模靠近来对所述感光性抗蚀剂层进行曝光，其特征在于：通过液体使具有尺寸比来自光源的振荡光的波长小的开口部的所述遮光膜与所述感光性抗蚀剂层靠近，在与所述开口部对应的位置上产生近场光来对所述感光性抗蚀剂层进行曝光。
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