[发明专利]具有隔离结构的高电压LDMOS晶体管

摘要

本发明为一种具有隔离结构的高电压LDMOS晶体管，包括在一N型井区(N－Well)中的一漏极延伸区(extendeddrain region)内的一P型区域(P－field)与分开的P型区域群(divided P－fields)，该P型区域与分开的P型区域群于N型井区内形成接面场效(junction－field)，使得漂移区能够在崩溃发生前先完全空乏，因此晶体管可以有较高的崩溃电压(breakdown voltage)且N型井区可容许较高的掺杂浓度。较高的掺杂浓度可有效降低LDMOS半导体的导通阻抗(on－resistance)，此外，在源极(source)扩散区之下所形成的该N型井区，为源极提供一低阻抗路径，以限制漏极区与源极区之间的晶体管电流。

主权项

1.一种具有隔离结构的高电压LDMOS晶体管，其特征在于，包含：一P型基板；一第一扩散区与一第二扩散区，其中该第一扩散区与该第二扩散区皆具有N型导电离子，于该P型基板内形成一N型井区，而其中该第一扩散区包含一漏极延伸区；一具有N+型导电离子的漏极扩散区，用以在该漏极延伸区内形成一漏极区；一具有P型导电离子的一第三扩散区，包含在该漏极延伸区内形成的一P型区域与分开的P型区域群，且其中该P型区域与分开的P型区域群在该漏极延伸区内产生接面场效；一具有N+型导电离子的源极扩散区，用以在该第二扩散区所形成的该N型井区内形成一源极区；一传导通道，形成于该源极区与该漏极区之间；一闸极，形成于该传导通道之上以控制该传导通道的一电流；一具有P+型导电离子的接点扩散区，用以在该第二扩散区所形成的该N型井区内形成一接点区；以及一具有P型导电离子的一第四扩散区，用以在该第二扩散区所形成的该N型井区内形成一隔离的P型井区以防止崩溃，其中该隔离的P型井区将该源极区与该接点区包围起。