[发明专利]电荷捕捉记忆单元

摘要

提供位于一半导体本体(1)顶部源极/漏极区域之间的沟道区域，其系横越于具有形成一凸起(7)的半导体材质之纵向。特别地，该凸起系为半圆柱形。这使得放射状电场之强度可均匀分布，且避免该沟道区域侧向边缘上的电场强度尖峰。一ONO储存层顺序(9)系位于该沟道区域与该栅极电极之间，以作为一字符线(10，11)的部分。

主权项

1.一电荷捕捉记忆单元，其包含一有源区域，其具有一沟道区域于源极/漏极区域(14)之间，且其系位于STI隔离(13)间的一半导体本体(1)或基板之顶部上，以及一储存层顺序(9)，其系用于电荷捕捉，且系与一栅极电极配置于该沟道区域上，该储存层顺序(9)亦被提供作为该沟道区域与该栅极电极之间的栅极介电质，其中该半导体本体(1)或基板的该顶部具有一凸起(7)于该沟道区域中，相较于该沟道区域之平面结构，该凸起之形成使得放大一通道宽度，其系以横越于该源极/漏极区域(14)之间的连接线而被测量且系藉由该STI隔离(13)而被限定，且该凸起(7)系包含至少三分之二的该通道宽度。