[发明专利]半导体装置

摘要

晶体管区域(TR)是配置了包含MOS晶体管(T10)的多个MOS晶体管的区域，而伪区域(DR)是与螺旋形电感器(SI)下方相当的区域，在伪区域(DR)的SOI衬底(SB)的主面内设有多个伪活性层(D1)，还设有覆盖各伪活性层(D1)上的多个伪栅层(D2)。这里，伪活性层(D1)的配置图案和伪栅电极(D2)的配置图案大体上一致，并配置成在伪活性层(D1)上方伪栅电极(D2)正确重叠。从而，提供了防止设有螺旋形电感器的半导体装置中在螺旋形电感器下方发生表面凹陷的更为有效的结构。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于设有：包含成为基底的衬底部、配置于该衬底部上的埋入氧化膜及配置于该埋入氧化膜上的SOI层等的SOI衬底，配置于所述SOI层上方的电感元件，配置于所述SOI衬底上的MOS晶体管，配置于与所述电感元件下方相当的伪区域的所述SOI层的主面内而互相独立的多个伪活性层，以及配置于所述伪区域的所述SOI层的所述主面上的互相独立的多个伪栅电极。