[发明专利]避免超浅结漏电的非晶化方法无效
| 申请号： | 200410054231.7 | 申请日： | 2004-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN1744291A | 公开（公告）日： | 2006-03-08 |
| 发明（设计）人： | 金平中 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/22;H01L21/265;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种避免超浅结漏电的非晶化方法，在半导体衬底上形成一个栅极，在半导体衬底中形成一个第一掺杂区。接着形成一个非晶化区域(amorphized region)，其中非晶化区域位于第一掺杂区的下方，并与第一掺杂区相邻。之后，在栅极的侧壁上形成一个间隙壁，再在半导体衬底中形成一个第二掺杂区，其中第二掺杂区与第一掺杂区与非晶化区域相邻。此非晶化区域可以避免第二掺杂区的掺杂剂扩散至第一掺杂区、造成超浅结产生漏电的危险。 | ||
| 搜索关键词： | 避免 超浅结 漏电 非晶化 方法 | ||
【主权项】：
1.一种避免超浅结漏电的非晶化方法，包含：提供一个半导体衬底；在该半导体衬底上形成一个栅极；在该半导体衬底中形成一个第一掺杂区；在该半导体衬底中形成一个非晶化区域，其中该非晶化区域位于该第一掺杂区的下方，并与该第一掺杂区相邻；在该栅极的侧壁上形成一个间隙壁；及在该半导体衬底中形成一个第二掺杂区，其中该第二掺杂区与该第一掺杂区与该非晶化区域相邻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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