[发明专利]一种相变微、纳电子存储器器件及制作方法

摘要

本发明设计了一种新型相变微、纳电子存储器器件及其制备方法。本发明的设计原理是基于尖端效应，即施加电压后，图形尖端处的电阻或电流会很大，是器件单元中相变层发生相变的触发点。通过采用薄膜制备工艺在衬底上制备出器件的各层薄膜，然后利用微细加工工艺制备出含有尖端的器件单元，器件单元中的发生相变区域的尺寸大约在2到200nm范围内，多个器件单元重复排列就构成了微、纳电子存储器器件。这种微、纳电子存储器器件结构简单、制备方便、能与现在的半导体工艺很好地兼容，并且还可以很容易实现器件单元的小尺寸化，有利于提高集成电路的集成度，实现存储器向纳电子器件的方向转变。

主权项

1、排列，且每个器件单元与衬底中的互补金属-氧化物-半导体结构和寻址选择电路集成构成的，其特征在于所述的相变微、纳电子存储器器件单元是由覆盖在衬底上的第一层绝热层、覆盖在第一层绝热层上的相变层和过渡层、覆盖在相变层上的第二绝热层、连接衬底与相变层的下电极以及覆盖在过渡层上的上电极、上电极与相变层相连接所构成的；在相变层上两个图形相互嵌入，分割出相变层的小图形，每个小图形至少含有一个尖端，尖端与上、下电极相连接；在第二绝热层的凹形槽内沉积过渡层。