[发明专利]倒装芯片凸点的选择性激光回流制备方法无效
| 申请号： | 200410053040.9 | 申请日： | 2004-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN1588634A | 公开（公告）日： | 2005-03-02 |
| 发明（设计）人： | 叶献方;丁汉;熊振华 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/28;H01L21/44 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 毛翠莹 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种倒装芯片凸点的选择性激光回流制备方法，将模板印刷法与选择性激光回流技术相结合制备倒装芯片的凸点，将金属模板置于芯片之上，将焊膏填入金属模板上的所有开孔，激光聚焦在金属模板开孔内，焊膏在激光作用下回流成金属凸点。在逐点制备倒装芯片上所有凸点的过程中，金属模板与芯片保持接触。本发明的方法适用于多种材料制备凸点，具有成本低廉，激光扫描速度快，单点成形时间短，凸点定位精度高，凸点参数可以自由设定的优点。本发明能有效避免因全局受热而造成的器件失效现象，尤其适合某些特殊器件封装，如热敏器件、光电器件。 | ||
| 搜索关键词： | 倒装 芯片 选择性 激光 回流 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种倒装芯片凸点的选择性激光回流制备方法，其特征在于包括如下步骤：1)将金属模板(4)置于待制备凸点的芯片(5)之上，并调节金属模板(4)的位置与芯片(5)对准，然后将焊膏(6)填入金属模板(4))上的所有开孔内，保持金属模板(4)与芯片(5)接触，金属模板(4)上的开孔中心距离最小为130μm；2)采用激光发生器(1)作为凸点制备的激光源，激光发生器(1)所产生的激光经过准束后，再经扫描器的镜片偏转、反射，聚焦到金属模板(4)的开孔内，激光光斑半径约15μm，开孔内的焊膏在激光作用下回流成金属凸点(7)，而开孔内未被激光扫描到的焊膏(6)依然保持原来的形态，在激光回流过程中，根据要求的凸点尺寸决定金属模板(4)上开孔中的激光回流区域面积；3)在激光回流完金属模板(4)上的所有凸点(7)后，脱离金属模板(4)与芯片(5)，清除芯片上的残留焊膏(6)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
