[发明专利]制造双层多晶硅可改写非挥发性存储器的方法

摘要

本发明提供一种制造双层多晶硅可改写非挥发性存储器的方法，包括以下步骤：形成低、高压MOS器件的N阱和P阱；形成多个隔离区域；在存储器单元隧道注入区进行离子注入掺杂；形成存储器单元的栅氧化层，形成存储器单元的隧道穿透窗口薄栅氧化层；形成多晶硅浮栅及电容器的下电极；淀积ONO复介质层并刻蚀；在对应高压MOS器件的区域重新形成厚栅氧化层，在对应低压MOS器件的区域形成其薄栅氧化层；淀积第二层多晶硅，并刻蚀形成存储器单元的控制栅和高、低压MOS器件的逻辑栅以及电容器的上电极；对存储器单元和高、低压MOS器件的源区和漏区进行掺杂。通过上述方法，高压及低压MOS器件合用相同的P阱和N阱，从而简化了工艺。

主权项

1.一种制造双层多晶硅可改写非挥发性存储器的方法，包括以下步骤：a)通过离子注入工艺在硅衬底上形成多个同时用作高压MOS器件和低压MOS器件的N阱和P阱；b)采用常规LOCOS工艺形成多个隔离区域，所述隔离区域与形成的阱的位置相符；c)对存储器单元隧道注入区的区域进行离子注入掺杂；d)用热生长方法形成用作所述存储器单元的第一层厚栅氧化层，并对所述厚栅氧化层上对应所述存储器单元隧道穿透窗口的区域进行刻蚀，以形成隧道穿透窗口薄栅氧化层；e)淀积第一多晶硅层，并刻蚀该第一多晶硅层以形成存储器单元的多晶硅浮栅，以及在需要时用作电容器的下电极；f)淀积ONO介质层，并刻蚀掉该存储器单元和电容器单元以外所有的ONO介质层和厚氧化层；g)在对应高压MOS器件的区域形成第二氧化层用作所述高压MOS器件的厚栅氧化层，而在对应低压MOS器件的区域形成第三氧化层用作所述低压MOS器件的薄栅氧化层；h)淀积第二多晶硅层并刻蚀该第二多晶硅层，以形成所述存储器单元的控制栅和所述高压及低压MOS器件的逻辑栅以及在需要时用作电容器的上电极；i)对所述存储器单元和所述高压及低压MOS器件的源区和漏区进行掺杂。