[发明专利]采用1,1-二氟乙烷为保护气氛的镁合金熔炼方法无效

专利信息
申请号: 200410052616.X 申请日: 2004-07-08
公开(公告)号: CN1587424A 公开(公告)日: 2005-03-02
发明(设计)人: 彭立明;曾一文;曾小勤;丁文江;毛协民 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: C22B26/22 分类号: C22B26/22;C22B9/00;C22C1/02;C22C23/00;B22D21/04
代理公司: 上海交达专利事务所 代理人: 毛翠莹
地址: 200240*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种采用1,1-二氟乙烷为保护气氛的镁合金熔炼方法,将体积含量为0.01-4%的1,1-二氟乙烷与辅助稀释气体在混气装置中混合后作为镁熔体的气氛保护剂,将纯镁或镁合金置于封闭坩埚中加热升温后将混合气体通入坩埚,使气体覆盖在纯镁或镁合金熔体表面形成一层致密的氧化保护膜,通入的混合气体每分钟流量是封闭气体容积的0.05-8%,继续加热升温并在气体保护下进行精炼变质,静置后进行重力浇注或压力铸造。本发明采用的保护气体可有效防止镁合金在熔炼过程中的氧化和燃烧,具有良好的保护效果、低廉的价格和较低的温室效应。
搜索关键词: 采用 乙烷 保护 气氛 镁合金 熔炼 方法
【主权项】:
1、一种采用1,1-二氟乙烷为保护气氛的镁合金熔炼方法,其特征在于包括以下步骤:1)将1,1-二氟乙烷与辅助稀释气体在混气装置中混合,1,1-二氟乙烷在混合气体中的体积含量为0.01-4%;2)将纯镁或镁合金置于封闭坩埚中加热升温;3)当纯镁或镁合金温度达到400℃时,开始将混合气体通入坩埚,使气体覆盖在纯镁或镁合金表面,通入的混合气体每分钟流量是封闭气体容积的0.05-8%;4)继续加热升温至纯镁或镁合金熔化,使保护气体在熔体表面形成一层致密的氧化保护膜;5)当纯镁或镁合金熔体升温至700~850℃时,在气体保护下进行精炼变质,然后静置30~40分钟后,进行重力浇注或压力铸造。
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