[发明专利]一种将CMOS电路与体硅MEMS单片集成的方法无效
| 申请号： | 200410049792.8 | 申请日： | 2004-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN1595633A | 公开（公告）日： | 2005-03-16 |
| 发明（设计）人： | 王成伟;闫桂珍;朱泳;范杰;刘雪松;王阳元 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;H01L21/00;B81B1/00;B81B5/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐宁;关畅 |
| 地址： | 100871北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种将CMOS电路与体硅MEMS单片集成的方法，其包括以下步骤：1.在硅片上采用标准CMOS工艺完成集成电路部分的制作；2.淀积钝化层保护所述集成电路部分；3.采用深槽刻蚀，在所述隔离槽内填充低温电绝缘介质；4.在背面做掩膜，腐蚀硅，直至暴露出所述填充介质；5.在正面开CMOS电路与MEMS结构连接通孔，磷离子注入；6.溅射钛/铝，光刻腐蚀得到铝掩膜图形和MEMS结构与电路之间的连线；7.合金处理，用铝作掩膜，释放MEMS硅结构。本发明方法不仅获得了较大的质量块，而且制作出的结构电容，较利用现有工艺制作出的电容大的多，同时实现了Post－CMOS的集成，降低了加工成本，大大提高MEMS传感器的精度和稳定性，本发明具有前沿性和重要实用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 电路 mems 单片 集成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种将CMOS电路与体硅MEMS单片集成的方法，其包括以下步骤：(1)在硅片上采用标准CMOS工艺完成集成电路部分的制作；(2)在所述硅片上淀积钝化层保护所述集成电路部分；(3)采用深槽刻蚀，形成隔离槽，在所述隔离槽内填充低温电绝缘介质；(4)在所述硅片背面做掩膜，腐蚀硅，直至暴露出所述隔离槽底部的所述填充介质；(5)在所述硅片正面开CMOS电路与MEMS结构连接通孔，磷离子注入；(6)溅射钛/铝，光刻腐蚀得到铝掩膜图形和MEMS结构与电路之间的连线；(7)合金处理，用铝作掩膜，释放MEMS硅结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
