[发明专利]超高分辨率近场结构光盘无效
| 申请号： | 200410049641.2 | 申请日： | 2004-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN1573995A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 金铉基;黄仁吾;安龙津 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11B7/24 | 分类号： | G11B7/24 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 韩明星 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种在其上用波束写入信息的具有超高分辨率近场结构(Super－RENS)的高密度光盘，其基底上面具有多个层。该光盘包括一个或多个Super－RENS掩膜层和一个或多个相变记录辅助层，每个辅助层都包含一种高度晶化的物质。上述的Super－RENS光盘通过消除在数据记录后的再现过程中可能产生的信号不稳定和不均匀允许高质量信号再生，同时实现低制造成本和高产量。 | ||
| 搜索关键词： | 超高 分辨率 近场 结构 光盘 | ||
【主权项】：
1、一种用波束写入信息的在其基底上面构造有多个层的光盘，包括：一个或多个具有超高分辨率近场结构的掩膜层；和一个或多个相变记录辅助层，每个记录辅助层都包含一种高度晶化的物质。
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