[发明专利]硫化银半导体纳米颗粒的制备方法无效

专利信息
申请号: 200410049452.5 申请日: 2004-06-18
公开(公告)号: CN1709798A 公开(公告)日: 2005-12-21
发明(设计)人: 刘维民;王晓波;付兴国;徐滨士 申请(专利权)人: 中国科学院兰州化学物理研究所
主分类号: C01G5/00 分类号: C01G5/00;C01B17/20
代理公司: 兰州中科华西专利代理有限公司 代理人: 方晓佳
地址: 730000甘肃*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要: 发明公开了一种单分散硫化银半导体纳米颗粒的制备方法。该制备方法以常见的银盐、高碳醇及五硫化二磷为原料,通过简便的化学反应即可制得单分散硫化银半导体纳米颗粒。本发明具有原料廉价易得、简便、成本低,产率高等特点,适合大规模的工业生产;制备出的半导体纳米颗粒粒径均匀,稳定性好,有广泛的工业用途。
搜索关键词: 硫化 半导体 纳米 颗粒 制备 方法
【主权项】:
1、一种硫化银半导体纳米颗粒的制备方法,其特征在于该方法具体包括以下步骤:A)将醇溶于甲苯,在搅拌下加入粉状的五硫化二磷,在氮气流中回流反应2~6小时,过滤,冷却;B)将银盐溶液加入到A步所得滤液中,搅拌反应1~2小时,有白色固体产生,将其滤出,干燥;C)将B步所得固体加热到150~200℃,反应2~6小时,所得黑色固体即为硫化银半导体纳米颗粒。
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