[发明专利]抗反射硬掩膜及其应用有效
| 申请号： | 200410049384.2 | 申请日： | 2004-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN1585097A | 公开（公告）日： | 2005-02-23 |
| 发明（设计）人： | K·巴比驰;E·黄;A·P·马赫罗瓦拉;D·R·梅德罗斯;D·皮菲福尔;K·坦姆普勒 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/32;G03F7/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 郭建新 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了抗反射硬掩膜组合物以及将该抗反射硬掩膜组合物用于加工半导体器件的技术。本发明的一个方面提供了用于平板印刷的抗反射硬掩膜层。抗反射硬掩膜层包含含有至少一种生色团部分和至少一种透明部分的碳硅烷聚合物主链和交联组分。本发明的另一个方面提供了加工半导体器件的方法。该方法包括如下步骤：在基材上提供材料层；在材料层上形成抗反射硬掩膜层。所述抗反射硬掩膜层包含含有至少一种生色团部分和至少一种透明部分的碳硅烷聚合物主链和交联组分。 | ||
| 搜索关键词： | 反射 硬掩膜 及其 应用 | ||
【主权项】：
1、一种用于平版印刷的抗反射硬掩膜层，其包含：包含至少一种生色团部分和至少一种透明部分的碳硅烷聚合物主链；和交联组分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
