[发明专利]高频开关电路和半导体装置无效
| 申请号： | 200410049035.0 | 申请日： | 2004-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN1574630A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 中塚忠良;诹访敦;多良胜司 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H03K17/693 | 分类号： | H03K17/693;H03K17/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在输入输出高频信号的多个输入输出端子之间设置由4组FET的串联电路构成的4个开关电路部。各开关电路部通过独立地分别对4个FET的栅端子施加栅控制电压，实现导通状态和关断状态。进而，在各开关电路部中，对FET的漏端子或源端子独立地施加漏控制电压，供给与输入到各开关电路部的高频信号的功率值对应的电压，作为栅控制电压和漏控制电压。 | ||
| 搜索关键词： | 高频 开关电路 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种高频开关电路，它包括配置在输入输出高频信号的多个输入输出端子之间的多个开关电路部，上述多个开关电路部的每一个用多个场效应晶体管的串联连接电路构成，通过对上述多个场效应晶体管的栅端子施加栅控制电压，实现导通状态和关断状态，进而，在上述多个开关电路部的每一个中，对上述多个场效应晶体管的漏端子或源端子施加漏控制电压，供给与输入到上述多个开关电路部的高频信号的功率值对应的电压，作为上述栅控制电压和上述漏控制电压。
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