[发明专利]一种二硼化镁超导材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200410048208.7 | 申请日： | 2004-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN1712353A | 公开（公告）日： | 2005-12-28 |
| 发明（设计）人： | 马衍伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | C01B35/04 | 分类号： | C01B35/04;C04B35/58;//C04B101∶00 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人： | 关玲;刘秀娟 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种二硼化镁(MgB2)超导材料及其制备方法，涉及一种具有高临界电流密度的新型二硼化镁超导材料及其制备方法。其特征在于：在二硼化镁超导材料中掺杂有选自WSi2、ZrB2、或ZrSi2中的一种金属化合物X，其组成的摩尔比Mg∶X∶B＝(0.8－0.95)∶(0.05－0.2)∶2。本发明的制备方法是将Mg粉、X粉和B材料按摩尔比混合均匀，在常压氩气气氛中进行烧结。本发明的二硼化镁超导材料在4.2K以上的温度，具有高临界电流密度，而且磁场下的性能也非常优良。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二硼化镁 超导 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种二硼化镁超导材料，其特征在于：在二硼化镁超导材料中掺杂有选自WSi2、ZrB2、或ZrSi2中的一种金属化合物X，其组成的摩尔比Mg∶X∶B＝(0.8-0.95)∶(0.05-0.2)∶2。
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