[发明专利]形成具有完全硅化结构的半导体组件及晶体管的方法有效
| 申请号： | 200410048134.7 | 申请日： | 2004-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN1599078A | 公开（公告）日： | 2005-03-23 |
| 发明（设计）人： | 杨育佳;王志豪;胡正明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/092;H01L21/76;H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王一斌 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一具有多个硅化的多晶硅结构的半导体组件，其中是提供所述多晶硅结构一大致均匀的硅化反应。闲置多晶硅结构于硅化反应前形成于基底上，其可允许芯片表面得以平坦而不致产生一过度凹陷处，并导致参与硅化反应的金属量于不同多晶硅结构中大致均匀地分布。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 具有 完全 结构 半导体 组件 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体芯片，其包括：一包含一主动区的半导体基底，一第一结构形成于主动区上，该第一结构是完全硅化，以及至少一闲置硅化物结构。
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