[发明专利]半导体存储装置及半导体集成电路装置无效
| 申请号： | 200410047616.0 | 申请日： | 2004-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN1574081A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 藤本知则;大田清人;菊川博仁 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/402 | 分类号： | G11C11/402 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体存储装置和半导体集成电路装置，半导体存储装置的行控制电路(100)包含：振荡器(110)，其作为时钟振荡器产生内部时钟；D触发器(181)，其作为刷新请求信号生成电路，与内部时钟同步产生刷新请求信号(RFRQ)。作为刷新控制电路，包括：延迟电路(182)、与非门(184)、与门(182)、D触发器(185)、延迟电路(188)、与门(189)以及或门(190)。通过利用刷新请求信号(RFRQ)以及有效信号(ACT)，与外部刷新指令切离，在DRAM内部进行内部刷新。这样，可以充分确保刷新功能，同时可以实现简化存储器控制的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 集成电路 | ||
【主权项】：
1、一种半导体存储装置，包括将具有电容器和晶体管的存储器单元多个配置成行列状所构成的存储器单元阵列、与配置在所述存储器单元阵列的行方向上的多个存储器单元连接的多条字线、与配置在所述存储器单元阵列的列方向上的多个存储器单元连接的多条位线，由来自外部的信号对所述存储器单元进行读写，其特征在于，包括：时钟振荡器，其产生振荡时钟；刷新请求信号生成电路，其根据所述振荡时钟，产生刷新请求信号；开始时期检测信号生成电路，其响应来自外部的访问请求信号，产生表示刷新开始可能区间的开始时期检测信号；和刷新用内部行控制信号生成电路，其根据所述刷新请求信号和所述开始时期检测信号，产生用于进行内部刷新动作的刷新用内部行控制信号。
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