[发明专利]半导体集成电路装置有效
| 申请号： | 200410047613.7 | 申请日： | 2004-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN1574278A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 山田雅留;奥野泰利 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L27/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体集成电路装置，对于在周围电路形成部(31)中第一元件形成部(31a)、即应力变位区域(101)内所包含的活性区域(311)上形成的半导体元件不需进行电驱动，而只对在第二元件形成部(31b)、即应力稳定区域(102)内的半导体元件进行电驱动。这样，由于在周围电路形成部(31)的第二元件形成部(31b)与元件外侧STI区域(32)相隔一定距离，因而不易受到压缩应力的影响。因此，可以降低器件活性区域的边缘与其中心之间的应力差，防止由该应力差所导致的半导体元件的动作特性的变化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 装置 | ||
【主权项】：
1、一种半导体集成电路装置，其特征在于，包括：多个活性区域，分别由第一元件分离区域所划分配置；和第二元件分离区域，其被形成在所述多个活性区域的周围部，比所述第一元件分离区域具有大的宽度；所述多个活性区域包括与所述第二元件分离区域邻接的第一元件形成部、和位于该第一元件形成部内侧的第二元件形成部；只对包含在所述第二元件形成部中的元件进行电驱动。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社，未经松下电器产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410047613.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：烘烤方法
- 下一篇：一种电磁干扰屏蔽单元的制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
