[发明专利]固体摄像装置的制造方法及固体摄像装置无效
申请号: | 200410047324.7 | 申请日: | 2004-05-31 |
公开(公告)号: | CN1574372A | 公开(公告)日: | 2005-02-02 |
发明(设计)人: | 酒勾宏;冈本博;永吉良一 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H04N5/335 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 胡建新 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 在本发明的固体摄像装置中,在布线区域(3)上形成遮光膜(防光斑用的防反射膜)(4),在摄像区域(2)上,由可构图材料形成透明膜(10),形成透明膜(8),所述透明膜(8)在透明膜(10)的上面形成微型透镜,将透明膜(10)的上表面和遮光膜(4)的上表面形成为一个平面。 | ||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种固体摄像装置的制造方法,所述固体摄像装置具有包括多个象素部的摄像区域和其周围的布线区域,所述方法的特征在于,包括:第一步骤,在布线区域上面形成遮光膜,在摄像区域上面通过构图来形成透明膜;第二步骤,在上述透明膜的上面形成平坦膜,在该平坦膜上部形成有微型透镜,在上述第一步骤中,将上述透明膜的上表面和上述遮光膜的上表面形成为一个平面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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