[发明专利]半导体器件中形成插孔接触点的方法有效
| 申请号： | 200410046571.5 | 申请日： | 2004-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN1638045A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | 金亨涣 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/768;H01L21/30;H01L21/02;H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件中形成插孔接触点(landing plug contacts)的方法。该方法包括如下步骤：在衬底上形成多个栅极结构，每个栅极结构包括一个栅极硬掩模；在栅极结构上形成一个层间绝缘层；通过化学机械抛光(CMP)工艺平坦化所述层间绝缘层，直到暴露出栅极硬掩模；在平坦化的层间绝缘层上形成一硬掩模材料；摹制所述硬掩模材料，从而形成一硬掩模；形成多个接触孔，通过使用硬掩模作为刻蚀掩模对平坦化的层间绝缘层进行刻蚀，所述接触孔暴露出所述栅极结构之间的衬底；在所述接触孔上形成多晶硅层；通过对所述多晶硅层实施平坦化工艺，形成埋入接触孔的插孔接触点，直到暴露出栅极硬掩模。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 插孔 接触 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件中形成插孔接触点LPC的方法，包括如下步骤：在衬底上形成多个栅极结构，每个栅极结构包括一个栅极硬掩模；在栅极结构上形成一个层间绝缘层；通过化学机械抛光CMP工艺平坦化所述层间绝缘层，直到暴露出栅极硬掩模；在平坦化的层间绝缘层上形成一硬掩模材料；摹制所述硬掩模材料，从而形成一硬掩模；形成多个接触孔，通过使用硬掩模作为刻蚀掩模对平坦化的层间绝缘层进行刻蚀，所述接触孔暴露出所述栅极结构之间的衬底；在所述接触孔上形成多晶硅层；通过对所述多晶硅层实施平坦化工艺，形成埋入接触孔的插孔接触点，直到暴露出栅极硬掩模。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
