[发明专利]在相变存储器件中的用于脉冲宽度控制的器件和方法无效
| 申请号： | 200410046560.7 | 申请日： | 2004-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN1574093A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 赵佑荣;金敬姬 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 王志森;黄小临 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明描述了一种对相变存储器件，比如硫族化合物存储器(PRAM)，进行编程的方法。本发明涉及将PRAM元件从复位状态编程到设置状态或从设置状态编程到设置状态的方法。本发明提供了一种新颖且非显而易见的PRAM器件和方法，其中通过在编程的过程中监测存储元件的状态控制设置脉冲持续时间，比如通过将位线的电压与参考电压进行比较或将单元电阻与设置状态单元电阻进行比较。响应存储元件的所检测的状态控制设置脉冲的持续时间。本发明的方法的结果是PRAM编程错误，比如由恒定的持续时间设置脉冲引起的错误，被极大地减少，以及编程持续时间和功耗减小。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储 器件 中的 用于 脉冲宽度 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种对半导体存储器件进行编程的方法，包括：将设置脉冲施加到存储器件；在施加设置脉冲的同时，检测存储器件的状态；在确定存储器件处于所需的设置状态时，消除设置脉冲，以便基于存储器件的状态控制设置脉冲的持续时间。
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