[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及其制造方法。作为为实现注入到栅电极(20)、(21)的杂质的活性化而进行的第1热处理，进行几乎不产生硼向多晶硅的各结晶粒内的扩散，且产生硼在结晶粒边界的扩散的低温长时间的热处理。接着，作为第2热处理，进行产生杂质向多晶硅层中的各晶粒内扩散的高温短时间的热处理，如脉冲退火、快速加热退火等。由此，能够提供被微细化、且能同时抑制栅电极中的杂质向沟道区域的渗透和栅电极的耗尽化。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于：它包含以下工序：在基板的活性区域上，形成栅极绝缘膜的工序(a)，在上述栅极绝缘膜上形成硅膜的工序(b)，对上述硅膜进行图案化，形成栅电极的工序(c)，至少将上述栅电极作为掩模，进行杂质的离子注入，形成包含高浓度杂质扩散区域的源—漏区域的工序(d)，为实现导入到上述栅电极的杂质的活性化，而进行第1热处理的工序(e)，以及为实现导入到上述栅电极和上述源—漏区域的杂质的活性化，而在比上述第1热处理更高的温度和更短的时间条件下，进行第2热处理的工序(f)。