[发明专利]制备含异氰酸酯基的有机硅化合物的方法

摘要

本发明提供一种制备含有异氰酸酯基及由下式(Ia)的单元组成的有机硅化合物的方法：R_a(R¹O)_bX_cSiO_{(4－a－b－c)/2} (Ia)该方法包括加热由下式(Ib)的单元组成的有机硅化合物：R_a(R¹O)_bY_cSiO_{(4－a－b－c)/2} (Ib)其中，X为式(IIa)的SiC－或SiOC－键结的基团：－(O)_g－Z－NCO (IIa) Y为式(IIb)的SiC－或SiOC－键结的基团：－(O) _g－Z－NH－C(O)OR² (IIb) g、Z、R、R¹和R²、a、b和c如权利要求1所限定，条件是包括式(Ib)的单元的有机硅化合物的卤化物含量不多于10000 ppm重量。

主权项

1、一种制备含有异氰酸酯基并由下式(Ia)的单元组成的有机硅化合物的方法：Ra(R1O)bXcSiO(4-a-b-c)/2 (Ia)该方法包括加热由下式(Ib)的单元组成的有机硅化合物：Ra(R1O)bYcSiO(4-a-b-c)/2 (Ib)其中，X为式(IIa)的SiC-或SiOC-键结的基团：-(O)g-Z-NCO (IIa)Y为式(IIb)的SiC-或SiOC-键结的基团：-(O)g-Z-NH-C(O)OR2 (IIb)g为0或1，Z为二价的、未取代或经取代的烃基，其可由O、S、N或P间隔，R、R1和R2各为单价的、SiC-键结的、未取代或经取代的烃基，其可由O、S、N或P间隔，a和b各为0、1、2或3，以及c为0、1、2、3或4。条件是a+b+c≤4，包括式(Ia)的单元的有机硅化合物含有至少一个X基，包括式(Ib)的单元的有机硅化合物含有至少一个Y基，并且卤化物含量不多于10000ppm重量。