[发明专利]透过式兼输出镜的半导体可饱和吸收镜无效
| 申请号： | 200410046062.2 | 申请日： | 2004-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN1705174A | 公开（公告）日： | 2005-12-07 |
| 发明（设计）人： | 王勇刚;马骁宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S3/098 | 分类号： | H01S3/098;G02B1/02;G02B1/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种透过式兼输出镜的半导体可饱和吸收镜，其特征在于，其中包括：一半绝缘衬底；在半绝缘衬底的下面镀有高反膜；一缓冲层，该缓冲层制作在半绝缘衬底上；一吸收区，该吸收区制作在缓冲层上；一增透膜，该增透膜镀在吸收区上。本发明可由于固体激光器的被动锁模，实现超短脉冲激光的输出。 | ||
| 搜索关键词： | 透过 输出 半导体 饱和 吸收 | ||
【主权项】：
1、一种透过式兼输出镜的半导体可饱和吸收镜，其特征在于，其中包括：一半绝缘衬底；在半绝缘衬底的下面镀有高反膜；一缓冲层，该缓冲层制作在半绝缘衬底上；一吸收区，该吸收区制作在缓冲层上；一增透膜，该增透膜镀在吸收区上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410046062.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种接入无线局域网的方法
- 下一篇：医用光学测量仪
