[发明专利]绝缘体硅射频集成电路的集成结构及制作方法

摘要

一种用于绝缘体硅射频集成电路的集成结构，其中包括：一绝缘体硅衬底，包括单晶硅层、隔离氧化层和硅薄层；场氧化层采用局域场氧化隔离技术形成在硅薄层里与隔离氧化层相连，以阻断器件漏电；栅氧化层是在硅薄层表面氧化形成；多晶硅层是在栅氧化层上淀积形成的；氮化硅层形成在多晶硅层的周围；二硅化钛薄层以点状分布在硅薄层上；第一层铝薄膜形成在二硅化钛薄层上；一二氧化硅层形成在场氧化层、多晶硅层、氮化硅层、二硅化钛薄层和第一层铝薄膜上；部分第一层铝薄膜镶嵌在二氧化硅层中；第二层铝薄膜与第一层铝薄膜局部相连，并形成于二氧化硅层上。

主权项

1、一种用于绝缘体硅射频集成电路的集成结构，可以划分为器件隔离区域I、横向扩散场效应晶体管区域II、n型场效应晶体管区域III、电感区域IV、电容区域V、变容管区域VI和扩散层电阻区域VII 8个区域，其特征在于，其中包括：一绝缘体硅衬底，该绝缘体硅衬底包括单晶硅层、隔离氧化层和硅薄层；场氧化层，该场氧化层采用局域场氧化隔离技术形成在硅薄层里与隔离氧化层相连，以阻断器件漏电；栅氧化层，该栅氧化层是在硅薄层表面氧化形成；多晶硅层，该多晶硅层是在栅氧化层上淀积形成的；氮化硅层，该氮化硅层形成在多晶硅层的周围；二硅化钛薄层，该二硅化钛薄层以点状分布在硅薄层上；第一层铝薄膜，该第一层铝薄膜形成在二硅化钛薄层上；一二氧化硅层，该二氧化硅层形成在场氧化层、多晶硅层、氮化硅层、二硅化钛薄层和第一层铝薄膜上；部分第一层铝薄膜镶嵌在二氧化硅层中；第二层铝薄膜，该第二层铝薄膜与第一层铝薄膜局部相连，并形成于二氧化硅层上。