[发明专利]压电单晶元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200410045750.7 | 申请日： | 2004-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN1574408A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 松下三芳;岩崎洋介 | 申请（专利权）人： | 川铁矿业株式会社 |
| 主分类号： | H01L41/18 | 分类号： | H01L41/18;H01L41/22 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 樊卫民;郭国清 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种积极地利用与极化方向直交的方向(横向振动模式)的机电耦合系数(k31)的压电单晶元件(器件)。具体而言，其特征是：极化方向(3)为赝立方晶的〔001〕轴时，压电元件端面的法线方向，相对于与畴结构直交的方向(n)，处在0～15°或40～50°的范围内，其中，该畴结构存在于包含与极化方向(3)直交的〔010〕及〔100〕轴的结晶平面内。 | ||
| 搜索关键词： | 压电 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种压电单晶元件，极化方向为赝立方晶的〔001〕轴时，具有良好的横向的振动模式的机电耦合系数k31，压电元件端面的法线方向与极化方向直交；压电元件端面的法线方向相对于与畴结构直交的方向，处在0～15°或40～50°的范围内，该畴结构存在于包含与极化方向直交的〔010〕及〔100〕轴的结晶平面内。
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