[发明专利]薄膜图形形成方法及器件制造方法、光电装置及电子设备无效

专利信息
申请号: 200410045309.9 申请日: 2004-05-21
公开(公告)号: CN1575102A 公开(公告)日: 2005-02-02
发明(设计)人: 平井利充 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: H05K3/12 分类号: H05K3/12
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 李香兰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种薄膜图形形成方法及器件制造方法、光电装置及电子设备,该薄膜图形形成方法,通过在基板(P)上配置功能液而形成薄膜图形,其特征在于,具有:在所述基板(P)上突出设置与所述薄膜图形对应的围堰(B)的围堰形成工序(S1);在所述围堰(B)上通过四氟化碳等离子处理而赋予疏液性的疏液化处理工序(S3);在赋予所述疏液性的所述围堰(B)之间配置所述功能液的材料配置工序(S4)。因此,能够良好地实现细线化。
搜索关键词: 薄膜 图形 形成 方法 器件 制造 光电 装置 电子设备
【主权项】:
1.一种薄膜图形的形成方法,通过在基板上配置功能液而形成薄膜图形,其特征在于,具有:在所述基板上形成与所述薄膜图形对应的围堰的围堰形成工序;在所述围堰上赋予疏液性的疏液化处理工序;在赋予所述疏液性的所述围堰之间配置所述功能液的材料配置工序。
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