[发明专利]发光二极管封装结构和封装方法无效

专利信息
申请号: 200410044764.7 申请日: 2004-05-18
公开(公告)号: CN1700481A 公开(公告)日: 2005-11-23
发明(设计)人: 林裕胜 申请(专利权)人: 亿光电子工业股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 刘文意
地址: 台湾省台北县土*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种发光二极管封装结构和封装方法,所述封装结构包含一具有凹陷部的基座。通过在凹陷部的侧壁,镀上一层金属反射层,使得发光二极管所发出的光可以有效率的射出封装结构。凹陷部内的金属反射层与导电组件间,需预留一间隙或填入一绝缘层,避免短路的情形发生。发光二极管芯片固定于凹陷部中,两电极分别连接到两个分开的导电组件。最后,通过膜塑构件填入凹陷部,以封装发光二极管芯片。
搜索关键词: 发光二极管 封装 结构 方法
【主权项】:
1.一种发光二极管封装结构,包含:一基座,具有一凹陷部;两个以上导电组件,固定于该基座中,并部份暴露于该凹陷部的底面;一发光二极管芯片,安装于该凹陷部内,并具有两个以上导电端分别与该些导电组件电性连接;一金属反射层,附着于该凹陷部的侧壁;以及一模塑构件,形成于该凹陷部中,并封装该发光二极管芯片于其中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于亿光电子工业股份有限公司,未经亿光电子工业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410044764.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top