[发明专利]发光二极管封装结构和封装方法无效
申请号: | 200410044764.7 | 申请日: | 2004-05-18 |
公开(公告)号: | CN1700481A | 公开(公告)日: | 2005-11-23 |
发明(设计)人: | 林裕胜 | 申请(专利权)人: | 亿光电子工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘文意 |
地址: | 台湾省台北县土*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种发光二极管封装结构和封装方法,所述封装结构包含一具有凹陷部的基座。通过在凹陷部的侧壁,镀上一层金属反射层,使得发光二极管所发出的光可以有效率的射出封装结构。凹陷部内的金属反射层与导电组件间,需预留一间隙或填入一绝缘层,避免短路的情形发生。发光二极管芯片固定于凹陷部中,两电极分别连接到两个分开的导电组件。最后,通过膜塑构件填入凹陷部,以封装发光二极管芯片。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 封装 结构 方法 | ||
【主权项】:
1.一种发光二极管封装结构,包含:一基座,具有一凹陷部;两个以上导电组件,固定于该基座中,并部份暴露于该凹陷部的底面;一发光二极管芯片,安装于该凹陷部内,并具有两个以上导电端分别与该些导电组件电性连接;一金属反射层,附着于该凹陷部的侧壁;以及一模塑构件,形成于该凹陷部中,并封装该发光二极管芯片于其中。
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