[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 200410044704.5 | 申请日： | 2004-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN1551373A | 公开（公告）日： | 2004-12-01 |
| 发明（设计）人： | 村田智洋;广濑裕;池田义人;田中毅;井上薰;上田大助;上本康裕 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/812 | 分类号： | H01L29/812;H01L21/338;H01L33/00;H01S5/30 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置，由III－V族氮化物半导体构成并具有通孔结构，包括：在导电性基板(11)上形成的由高阻抗AlxGa1－xN构成的缓冲层(12)；在该缓冲层(12)上形成的具有沟道层的由非掺杂GaN和N型AlyGa1－yN构成的元件形成层(14)；在元件形成(14)上选择形成的源电极(16)、漏电极(17)和栅电极(15)。源电极(16)通过填充于在缓冲层(12)和元件形成层(14)上设置的贯通孔(12a)而与导电性基板(11)电连接。这样，通过在防止基板和半导体层之间产生漏泄电流的同时使通孔的形成变得容易而获得高频特性、高输出特性和大功率特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，其特征在于，包括：导电性基板；第一半导体层，其在所述导电性基板上形成，由高阻抗的第一种III-V族氮化物半导体构成；第二半导体层，其在所述第一半导体层上形成，具有沟道层，由第二种III-V族氮化物半导体构成；源电极、漏电极和栅电极，在所述第二半导体层上选择形成；所述源电极通过填充于在所述第一半导体层和第二半导体层上设置的贯通孔而与所述导电性基板电连接。
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