[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200410044699.8 | 申请日： | 2000-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN1540716A | 公开（公告）日： | 2004-10-27 |
| 发明（设计）人： | 柴田宽;矶部敦生 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/82;H01L21/28;H01L21/768;H01L21/8234;G02F1/136 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;张志醒 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种具有高显示品质的液晶显示器件，它具有高的孔径比而又确保有足够的存储电容(Cs)，同时还可通过将电容线的负荷(像素的写入电流)及时地分散开以便有效地减小该负荷。扫描线形成在与栅电极不同的层上，以便将电容线安置得与信号线平行。每个像素都通过介电质与各独立的电容线相连接。因而，由邻近像素的写入电流所引起的电容线的电位变化就可避免，由此可获得满意的显示图像。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括下述步骤：在基片上形成岛形半导体膜；在该岛形半导体膜上形成第一绝缘膜；形成岛形栅电极和电容线；形成覆盖上述栅电极和电容线的第二绝缘膜；通过对上述第二绝缘膜进行选择性蚀刻，形成第一接触孔以到达栅电极；在第二绝缘膜上形成与该栅电极相连的扫描线；在该扫描线上形成第三绝缘膜；通过对上述第三绝缘膜进行选择性蚀刻，形成第二接触孔以到达半导体膜；形成与该半导体膜电连接的信号线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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