[发明专利]抗辐射导电光学防护膜无效

专利信息
申请号: 200410043737.8 申请日: 2004-07-22
公开(公告)号: CN1598619A 公开(公告)日: 2005-03-23
发明(设计)人: 张丽新;何世禹;杨德庄;魏强;赵丹 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: G02B1/10 分类号: G02B1/10;G02B1/00
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 代理人: 张伟
地址: 150001黑龙江*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 抗辐射导电光学防护膜,它涉及一种在光学器件表面使用的防护膜。现有防护膜在长期接受空间辐射环境作用后,光谱透过率明显下降,且当航天器遇磁层亚暴环境时,表面被充电,当放电脉冲耦合进入电子系统时造成航天器故障。本发明的各成分按重量份数计:无水乙醇1~4份,乙酰丙酮2~6份,甲酰胺0.02~1份,盐酸0.01~3份,In(NO3)30.0001~0.001份,SnCl40.00001~0.0004份,Ce(NO3)30.0002~0.004份,LaCl30.0003~0.005份。本发明利用Ce、La、Sn、In元素特性制备的多元素氧化物复合膜,具有高的导电性能、抗辐射性能和光学性能稳定性,在可见及近红外区的光谱透过率达到92%以上。
搜索关键词: 辐射 导电 光学 防护
【主权项】:
1.一种抗辐射导电光学防护膜,它的原料成分包括无水乙醇、乙酰丙酮、甲酰胺和盐酸,其特征在于它的成分中还包括In(NO3)3、SnCl4、Ce(NO3)3和LaCl3,以上各成分按重量份数计:无水乙醇1~4份,乙酰丙酮2~6份,甲酰胺0.02~1份,盐酸0.01~3份,In(NO3)30.0001~0.001份,SnCl40.00001~0.0004份,Ce(NO3)30.0002~0.004份,LaCl30.0003~0.005份。
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