[发明专利]薄膜图案形成法、器件及其制法、电光学装置和电子仪器无效
| 申请号： | 200410043329.2 | 申请日： | 2004-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN1551297A | 公开（公告）日： | 2004-12-01 |
| 发明（设计）人： | 平井利充 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/027;H05K3/10;B05C5/00;G02F1/136 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及薄膜图案形成方法、器件和其制造方法及电光学装置和电子仪器、有源矩阵基板的制造方法。本发明在贮存格上不残留液滴而形成配线。其解决方法是在贮存格B之间以所定的间距喷出多个功能液的液滴，形成薄膜图案。以比液滴的直径更大而且相邻的液滴彼此在上述贮存格B间形成沟(31)内涂布扩展时可以连接起来的间距喷出上述液滴。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 图案 形成 器件 及其 制法 光学 装置 电子仪器 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜图案形成方法，是以贮存格间所定的间距喷出多个功能液的液滴，形成薄膜图案的方法，其特征在于：以比所述液滴的直径更大，而且相邻的所述液滴彼此在所述贮存格间形成的沟内涂布扩展时可以连接起来的间距喷出所述液滴。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
