[发明专利]存储单元的布局无效
| 申请号： | 200410043311.2 | 申请日： | 2004-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN1697074A | 公开（公告）日： | 2005-11-16 |
| 发明（设计）人： | 郑湘原 | 申请（专利权）人： | 应用智慧有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/02 | 分类号： | G11C5/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明主要提供一种存储单元的布局，包括：多个字线、多个第一源/漏极线、多个第二源/漏极线及多个存储单元。每一存储单元具有：一栅极结构，耦接至字线其中之一；一第一源/漏极区，耦接至第一源/漏极线或第一位线其中之一，第一源/漏极区与栅极之间具有一第一间隙壁，第一间隙壁用以储存电子或电荷；及一第二源/漏极区，耦接至第二源/漏极线或第二位线其中之一，第二源/漏极区与栅极之间具有一第二间隙壁，第二间隙壁用以储存电子或电荷。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 单元 布局 | ||
【主权项】：
1.一种存储单元的布局，包括：多个字线；多个第一源/漏极线；多个第二源/漏极线；及多个存储单元，每一存储单元具有：一栅极结构，耦接至所述字线其中之一；一第一源/漏极区，耦接至所述第一源/漏极线或第一位线其中之一，该第一源/漏极区与该栅极之间具有一第一间隙壁，该第一间隙壁用以储存电子或电荷；及一第二源/漏极区，耦接至所述第二源/漏极线或第二位线其中之一，该第二源/漏极区与该栅极之间具有一第二间隙壁，该第二间隙壁用以储存电子或电荷。
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