[发明专利]脊形波导量子级联激光器的制作方法无效
| 申请号： | 200410043265.6 | 申请日： | 2004-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN1700541A | 公开（公告）日： | 2005-11-23 |
| 发明（设计）人： | 路秀真;常秀兰;胡颖;刘峰奇;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种脊形波导量子级联激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：(A)在半导体衬底上生长量子级联结构，作为激光器的有源区和波导层；(B)在量子级联结构材料上生长厚的二氧化硅，作为质子轰击掩蔽层；(C)涂光刻胶，刻蚀出条形；(D)带胶进行质子轰击，去胶；(E)生长一薄层二氧化硅，在解理处刻蚀出条形作为解理标识；(F)蒸电极，解理，压焊。 | ||
| 搜索关键词： | 脊形波导 量子 级联 激光器 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种脊形波导量子级联激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：(A)在半导体衬底上生长量子级联结构，作为激光器的有源区和波导层；(B)在量子级联结构材料上生长厚的二氧化硅，作为质子轰击掩蔽层；(C)涂光刻胶，刻蚀出条形；(D)带胶进行质子轰击，去胶；(E)生长一薄层二氧化硅，在解理处刻蚀出条形作为解理标识；(F)蒸电极，解理，压焊。
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