[发明专利]薄膜磁头及其制造方法、磁头万向架组件及硬盘装置无效
| 申请号: | 200410043222.8 | 申请日: | 2004-05-14 |
| 公开(公告)号: | CN1551115A | 公开(公告)日: | 2004-12-01 |
| 发明(设计)人: | 大池太郎;野口洁;矢里晴司 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
| 主分类号: | G11B5/39 | 分类号: | G11B5/39 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 刘宗杰;叶恺东 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 下部磁极层,具有磁极部分层和磁轭部分层。上部磁极层,具有磁极部分层和磁轭部分层。下部磁极层的磁极部分层、记录间隙层及上部磁极层的磁极部分层的与基板的上表面平行的断面形状相同。两磁极部分层及记录间隙层的集合体,包含着具有限定磁道宽度的宽度的第1部分及宽度大于第1部分的宽度的第2部分。当设第1部分的宽度为W并设从媒体相对面ABS到第1部分和第2部分的交界位置的距离为L时,L/W在2以上、5以下。当设与基板的上表面平行的集合体的断面的面积为S时,S/(W×L)在5以上、40以下。 | ||
| 搜索关键词: | 薄膜 磁头 及其 制造 方法 万向 组件 硬盘 装置 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜磁头,备有与记录媒体相对的媒体相对面、在上述媒体相对面侧包含彼此相对的磁极部分同时相互间以磁性方式连结的第1和第2磁极层、设置在上述第1磁极层的磁极部分和上述第2磁极层的磁极部分之间的间隙层、以使至少一部分与上述第1和第2磁极层绝缘的状态设置在上述第1和第2磁极层之间的薄膜线圈、及基板,上述第1和第2磁极层、间隙层及薄膜线圈,在上述基板上进行层叠,且将上述第1和第2磁极层中的第1磁极层一方配置在靠近上述基板的位置,该薄膜磁头的特征在于:上述第1磁极层,具有包含第1磁极层的磁极部分的第1磁极部分层及与第1磁极部分层连接的第1磁轭部分层,上述第2磁极层,具有包含第2磁极层的磁极部分的第2磁极部分层及与第2磁极部分层连接的第2磁轭部分层,上述第1磁极部分层、间隙层及第2磁极部分层的与上述基板的上表面平行的断面形状相同,上述第1磁轭部分层和第2磁轭部分层,在离媒体相对面一定距离的位置上相互连结,上述第1磁极部分层、间隙层及第2磁极部分层的集合体,包含着具有配置于媒体相对面的一个端部和配置在离媒体相对面一定距离的位置上的另一个端部同时具有限定磁道宽度的宽度的第1部分、及与上述第1部分的另一个端部连结且宽度大于上述第1部分的宽度的第2部分,当设上述第1部分的宽度为W并设从媒体相对面到上述第1部分和第2部分的交界位置的距离为L时,L/W在2以上、5以下,当设上述第1磁极部分层、间隙层及第2磁极部分层的与上述基板的上述断面的面积为S时,S/(W×L)在5以上、40以下。
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