[发明专利]氮化硅层的形成方法

摘要

本发明是关于一种氮化硅层的形成方法，该形成方法是先提供沉积炉管，且此沉积炉管包括外管、晶舟、气体注入器与气体均匀注入装置。其中晶舟配置在外管内部，用以承载多数个晶圆。此外，气体注入器位于外管与晶舟之间。另外，气体均匀注入装置位于外管与晶舟之间，而且由此气体均匀注入装置所输出的气体会均匀分布于沉积炉管内。接着，将含硅气体源藉由气体注入器输送至沉积炉管内，并且将混合有载气的含氮气体源藉由气体均匀注入装置输送至沉积炉管内，以在晶圆表面沉积氮化硅层。

主权项

1、一种氮化硅层的形成方法，适用于微机电系统(MEMS)元件的制程，特征在于该形成方法包括以下步骤：提供一沉积炉管，该沉积炉管包括：一外管；一晶舟，配置在该外管的内部，用以承载多数个晶圆；一气体注入器，位于该外管与该晶舟之间；及一气体均匀注入装置，位于该外管与该晶舟之间，而且由该气体均匀注入装置所输出的气体会均匀分布于该沉积炉管内；以及将一含硅气体源藉由该气体注入器输送至该沉积炉管内，并且将混合有一载气的一含氮气体源藉由该气体均匀注入装置输送至该沉积炉管内，以在该些晶圆表面沉积一氮化硅层，其中该含硅气体源的流量是大于该含氮气体源的流量。