[发明专利]高密度等离子体加工设备无效
| 申请号： | 200410042163.2 | 申请日： | 2004-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN1574199A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 尤里·N·托尔马切夫;瑟吉·Y·纳瓦拉;马东俊;金大一 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/205;H05H1/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供高密度等离子体加工设备，包括加工室、反应气体注入装置、感应耦合等离子体触角、波导和环形发送管。用于支撑所需加工的物体的衬托器安装在加工室内。介电窗安装在加工室上。反应气体注入装置将反应气体注入加工室内。感应耦合等离子体(ICP)触角安装在介电窗上以便定位在介电窗的中心上，并且将来自射频电源的射频功率传输到加工室内部。波导导引微波发生器产生的微波。环形发送管安装在介电窗上以便包围感应耦合等离子体触角，并连接到波导，且通过形成在环形发送管底板中的多个切口向加工室内部辐射微波。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 等离子体 加工 设备 | ||
【主权项】：
1一种高密度等离子体加工设备，包括：加工室，其中安装有用于支撑所需加工的物体的衬托器，并且介电窗安装在加工室上；反应气体注入装置，其将反应气体注入到加工室中；感应耦合等离子体触角，其安装在介电窗上以便定位在介电窗的中心上，并且将来自射频电源的射频功率传输到加工室内部；波导，其导引微波发生器产生的微波；以及环形发送管，其安装在介电窗上以便包围感应耦合等离子体触角，并连接到波导，且通过形成在环形发送管底板中的多个切口向加工室内部辐射微波。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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