[发明专利]沉积用于有机电致发光的保护薄膜的设备和方法无效
| 申请号： | 200410042096.4 | 申请日： | 2004-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN1543272A | 公开（公告）日： | 2004-11-03 |
| 发明（设计）人： | 铃木正康;猿渡哲也 | 申请（专利权）人： | 株式会社岛津制作所 |
| 主分类号： | H05B33/10 | 分类号： | H05B33/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沉积用于有机电致发光的保护薄膜的设备和方法，在通过表面波等离子体化学气相沉积(SWP－CVD)法沉积薄膜的薄膜沉积设备中，对上面放置有基底(9)的基底支架(8)配置冷却装置，由此防止在薄膜沉积期间可能引起的基底(9)温度升高。在基底支架(8)中形成冷却剂通道(81)，从冷却器(4)输送的冷却剂经冷却剂通道(81)循环，由此冷却基底支架(8)。另外，在被放置基底的基底支架的表面形成槽(82)，并且通过使He气流经槽(82)来冷却基底(9)。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 用于 有机 电致发光 保护 薄膜 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜沉积设备，包括：微波发生装置；一具有一介电材料窗的处理腔；微波发射装置，其将由所述微波发生装置发出的微波导向所述介电窗，由此使所述微波辐射到所述处理腔中；和用于冷却上面形成一有机电致发光器件的一基底的冷却装置，其中，利用向所述处理腔中发射所述微波而产生的表面波等离子体离解并激发薄膜沉积气体，同时通过所述冷却装置冷却所述基底，由此通过表面波等离子体化学气相沉积在所述有机电致发光器件上形成用作保护薄膜的氮化硅薄膜。
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